VISHAY

Транзистор SIA456DJ-T1-GE3

PowerPAK® SC70Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200 V
Drain current: 2.6 A
Pulsed drain current: 2 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIA456DJ-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	200 V
Drain current	2.6 A
Pulsed drain current	2 A
Рассеиваемая мощность	12 W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±16 V
On-state resistance	1.38 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	14.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.6A; Idm: 2A; 12W

Документация

Документы пока не предоставлены.