Антава

VISHAY

Транзистор SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-12 A
Pulsed drain current
-30 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 956 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%177,53 ₽

Сумма · с НДС 22%177,53 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1177,53 ₽
от 1078,54 ₽
от 2566,71 ₽
от 5060,25 ₽
от 10055,59 ₽
от 25052,72 ₽
от 50050,93 ₽
от 300048,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIA441DJ-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-12 A
Pulsed drain current-30 A
Рассеиваемая мощность19 W
КорпусPowerPAK® SC70
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge35nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -12A; Idm: -30A

Документация

Документы пока не предоставлены.