Антава

VISHAY

Транзистор SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
12 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 196 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%144,81 ₽

Сумма · с НДС 22%144,81 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1144,81 ₽
от 1085,57 ₽
от 5064,32 ₽
от 10057,36 ₽
от 50044,20 ₽
от 100039,87 ₽
от 300034,79 ₽
от 600034,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIA440DJ-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current12 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation12 W
КорпусPowerPAK® SC70
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance26 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W

Документация

Документы пока не предоставлены.