Антава

VISHAY

Транзистор SIA4371EDJ-T1-GE3

SIA4371EDJ-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-30 V
Рассеиваемая мощность
2.9 W
Корпус
SC70-6
Gate-source voltage
±12 V
On-state resistance
45 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 6 000 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%34,88 ₽

Сумма · с НДС 22%104 640,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 300034,88 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSIA4371EDJ-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-30 V
Рассеиваемая мощность2.9 W
КорпусSC70-6
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance45 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -30V; 2.9W; SC70-6

Документация

Документы пока не предоставлены.