VISHAY

Транзистор SIA430DJT-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SIA430DJT-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20V
Drain current	12A
Pulsed drain current	40A
Power dissipation	19.2W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	18.5mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	18nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 12A; Idm: 40A

Документация

Документы пока не предоставлены.