VISHAY

Транзистор SIA4265EDJ-T1-GE3

PowerPAK® SC70Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -9 A
Pulsed drain current: -20 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIA4265EDJ-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-9 A
Pulsed drain current	-20 A
Рассеиваемая мощность	15.6 W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	67.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	36nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.