VISHAY

Транзистор SIA414DJ-T1-GE3

PowerPAK® SC70Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8 V
Drain current: 12 A
Pulsed drain current: 40 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SIA414DJ-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	8 V
Drain current	12 A
Pulsed drain current	40 A
Рассеиваемая мощность	19 W
Корпус	PowerPAK® SC70
Gate-source voltage	±5 V
On-state resistance	41 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	32nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W

Документация

Документы пока не предоставлены.