Антава

VISHAY

Транзистор SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-4 A
Pulsed drain current
-20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 546 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%213,85 ₽

Сумма · с НДС 22%213,85 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1213,85 ₽
от 10132,55 ₽
от 10093,05 ₽
от 50068,01 ₽
от 100059,72 ₽
от 250057,60 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI9933CDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-4 A
Pulsed drain current-20 A
Power dissipation3.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance94 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A

Документация

Документ производителя