Антава

VISHAY

Транзистор SI9926CDY-T1-GE3

SI9926CDY-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
6.7 A
Pulsed drain current
30 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 300 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%367,38 ₽

Сумма · с НДС 22%367,38 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1367,38 ₽
от 5300,27 ₽
от 10264,29 ₽
от 50187,62 ₽
от 100161,01 ₽
от 500114,15 ₽
от 1000100,09 ₽
от 250084,35 ₽
от 500075,16 ₽
от 750070,29 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI9926CDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current6.7 A
Pulsed drain current30 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A

Документация

Документы пока не предоставлены.