Антава

VISHAY

Транзистор SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
6.7 A
Pulsed drain current
30 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 623 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%353,45 ₽

Сумма · с НДС 22%353,45 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1353,45 ₽
от 5267,61 ₽
от 10235,69 ₽
от 50174,56 ₽
от 100152,92 ₽
от 500112,17 ₽
от 100097,74 ₽
от 250081,33 ₽
от 500070,51 ₽
от 750068,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI9926CDY-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current6.7 A
Pulsed drain current30 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge33nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A

Документация

Документ производителя