VISHAY

Транзистор SI9634DY-T1-GE3

SI9634DY-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 5 A
Pulsed drain current: 32 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI9634DY-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	5 A
Pulsed drain current	32 A
Рассеиваемая мощность	1.3 W
Корпус	SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	38 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	11nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 5A; Idm: 32A

Документация

Документы пока не предоставлены.