VISHAY
Транзистор SI9407BDY-T1-GE3
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- TrenchFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -2.6 A
- Pulsed drain current
- -20 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 458 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%408,43 ₽
Сумма · с НДС 22%408,43 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 408,43 ₽ | |
| от 5 | 291,68 ₽ | |
| от 10 | 247,76 ₽ | |
| от 50 | 169,92 ₽ | |
| от 100 | 145,65 ₽ | |
| от 500 | 105,58 ₽ | |
| от 1000 | 93,44 ₽ | |
| от 2500 | 80,92 ₽ | |
| от 5000 | 78,03 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 816 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%408,43 ₽
Сумма · с НДС 22%408,43 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 408,43 ₽ | |
| от 5 | 291,68 ₽ | |
| от 10 | 247,76 ₽ | |
| от 50 | 169,92 ₽ | |
| от 100 | 145,65 ₽ | |
| от 500 | 105,58 ₽ | |
| от 1000 | 93,44 ₽ | |
| от 2500 | 80,92 ₽ | |
| от 5000 | 77,45 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SI9407BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -2.6 A |
| Pulsed drain current | -20 A |
| Power dissipation | 3.2 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.12 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 22nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.