Антава

VISHAY

Транзистор SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-2.6 A
Pulsed drain current
-20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 458 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%332,41 ₽

Сумма · с НДС 22%332,41 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1332,41 ₽
от 10219,96 ₽
от 20192,80 ₽
от 50162,22 ₽
от 100142,65 ₽
от 500107,32 ₽
от 100095,35 ₽
от 250082,25 ₽
от 500078,45 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Вариант поставкиДоступно к заказу 1 816 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%332,41 ₽

Сумма · с НДС 22%332,41 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1332,41 ₽
от 10219,96 ₽
от 20192,80 ₽
от 50162,22 ₽
от 100142,65 ₽
от 500107,32 ₽
от 100095,35 ₽
от 250082,25 ₽
от 500075,22 ₽
от 750074,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI9407BDY-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-2.6 A
Pulsed drain current-20 A
Power dissipation3.2 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A

Документация

Документ производителя