VISHAY
Транзистор SI9407BDY-T1-E3
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Технология
- TrenchFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -2.6 A
- Pulsed drain current
- -20 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 852 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%324,60 ₽
Сумма · с НДС 22%324,60 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 324,60 ₽ | |
| от 10 | 176,55 ₽ | |
| от 100 | 140,48 ₽ | |
| от 250 | 127,13 ₽ | |
| от 500 | 116,49 ₽ | |
| от 1000 | 104,77 ₽ | |
| от 2500 | 89,26 ₽ | |
| от 5000 | 77,54 ₽ | |
| от 7500 | 70,51 ₽ | |
| от 15000 | 68,17 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | SI9407BDY-T1-E3 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Технология | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -2.6 A |
| Pulsed drain current | -20 A |
| Рассеиваемая мощность | 3.2 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.12 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 22nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.