Антава

VISHAY

Транзистор SI8902AEDB-T2-E1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
24 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
40 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI8902AEDB-T2-E1
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage24 V
Drain current11 A
Pulsed drain current40 A
Power dissipation5.7 W
КорпусMICROFOOT®
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance37 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A

Документация

Документы пока не предоставлены.