VISHAY

Транзистор SI8851EDB-T2-E1

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -16.7 A
Pulsed drain current: -80 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI8851EDB-T2-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-16.7 A
Pulsed drain current	-80 A
Power dissipation	3.1 W
Корпус	MICROFOOT®
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	18.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	180nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -16.7A; Idm: -80A

Документация

Документы пока не предоставлены.