VISHAY

Транзистор SI8823EDB-T2-E1

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -2.7 A
Pulsed drain current: -15 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI8823EDB-T2-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-2.7 A
Pulsed drain current	-15 A
Power dissipation	0.9 W
Корпус	MICROFOOT®
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	335 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	17nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -15A

Документация

Документы пока не предоставлены.