VISHAY

Транзистор SI8816EDB-T2-E1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Pulsed drain current: 8A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI8816EDB-T2-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	2.3A
Pulsed drain current	8A
Power dissipation	0.9W
Корпус	MICROFOOT®
Gate-source voltage	±12V
On-state resistance	142mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2.3A; Idm: 8A; 0.9W

Документация

Документы пока не предоставлены.