VISHAY

Транзистор SI8810EDB-T2-E1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 2.9 A
Pulsed drain current: 15 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI8810EDB-T2-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	2.9 A
Pulsed drain current	15 A
Power dissipation	0.9 W
Корпус	MICROFOOT®
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	0.125 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A

Документация

Документы пока не предоставлены.