VISHAY

Транзистор SI8806DB-T2-E1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 20A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI8806DB-T2-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	12V
Drain current	3.9A
Pulsed drain current	20A
Power dissipation	0.9W
Корпус	MICROFOOT®
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	75mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	17nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 3.9A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.