VISHAY

Транзистор SI8489EDB-T2-E1

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.4A
Pulsed drain current: -20A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI8489EDB-T2-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-5.4A
Pulsed drain current	-20A
Power dissipation	1.8W
Корпус	MICROFOOT®
Gate-source voltage	±12V
On-state resistance	82mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	27nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.