Антава

VISHAY

Транзистор SI8487DB-T1-E1

SI8487DB-T1-E1
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-6.4A
Power dissipation
1.8/0.73W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI8487DB-T1-E1
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-6.4A
Power dissipation1.8/0.73W
КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage±12V
On-state resistance45mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge80nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 1.8/0.73W

Документация

Документ производителя