VISHAY

Транзистор SI8457DB-T1-E1

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -10.2A
Pulsed drain current: -25A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI8457DB-T1-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-10.2A
Pulsed drain current	-25A
Power dissipation	2.7W
Корпус	MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	35mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	93nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -10.2A; Idm: -25A

Документация

Документы пока не предоставлены.