VISHAY

Транзистор SI8425DB-T1-E1

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -9.3 A
Pulsed drain current: -25 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI8425DB-T1-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-9.3 A
Pulsed drain current	-25 A
Power dissipation	2.7 W
Корпус	MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	40 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	110nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9.3A; Idm: -25A

Документация

Документы пока не предоставлены.