VISHAY

Транзистор SI8424CDB-T1-E1

MICROFOOT® 1.6x1.6Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8 V
Drain current: 10 A
Pulsed drain current: 25 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI8424CDB-T1-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	8 V
Drain current	10 A
Pulsed drain current	25 A
Power dissipation	1.8 W
Корпус	MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage	±5 V
On-state resistance	20 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	40nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W

Документация

Документы пока не предоставлены.