VISHAY

Транзистор SI8416DB-T2-E1

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 20A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI8416DB-T2-E1
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	8V
Drain current	16A
Pulsed drain current	20A
Power dissipation	13W
Корпус	MICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage	±5V
On-state resistance	95mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	26nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 16A; Idm: 20A; 13W

Документация

Документы пока не предоставлены.