Антава

VISHAY

Транзистор SI8406DB-T2-E1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
16A
Pulsed drain current
30A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI8406DB-T2-E1
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current16A
Pulsed drain current30A
Power dissipation13W
КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
Gate-source voltage±8V
On-state resistance42mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 30A; 13W

Документация

Документы пока не предоставлены.