VISHAY

Транзистор SI7997DP-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -60 A
Pulsed drain current: -100 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7997DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-60 A
Pulsed drain current	-100 A
Power dissipation	46 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	7.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	160nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W

Документация

Документы пока не предоставлены.