Антава

VISHAY

Транзистор SI7994DP-T1-GE3

Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI7994DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current60 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation46 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge80nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 60A

Документация

Документы пока не предоставлены.