Антава

VISHAY

Транзистор SI7956DP-T1-E3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
4.1 A
Pulsed drain current
20 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7956DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current4.1 A
Pulsed drain current20 A
Power dissipation3.5 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.115 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 150V; 4.1A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.