VISHAY

Транзистор SI7949DP-T1-E3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -3.2 A
Pulsed drain current: -25 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7949DP-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-3.2 A
Pulsed drain current	-25 A
Power dissipation	0.94 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	64 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	40nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; 0.94W

Документация

Документы пока не предоставлены.