VISHAY

Транзистор SI7942DP-T1-E3

PowerPAK® SO8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET x2
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 5.9 A
Pulsed drain current: 20 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI7942DP-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET x2
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	5.9 A
Pulsed drain current	20 A
Power dissipation	3.5 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	60 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	24nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 5.9A; Idm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.