Антава

VISHAY

Транзистор SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
60 A
Pulsed drain current
80 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 763 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%466,23 ₽

Сумма · с НДС 22%466,23 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1466,23 ₽
от 10308,25 ₽
от 25263,94 ₽
от 100211,92 ₽
от 250188,80 ₽
от 500184,95 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI7938DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current60 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation46 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge65nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A

Документация

Документы пока не предоставлены.