VISHAY

Транзистор SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150 V
Drain current: 3 A
Pulsed drain current: 25 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7898DP-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	150 V
Drain current	3 A
Pulsed drain current	25 A
Power dissipation	1.2 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	85 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	21nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.