Антава

VISHAY

Транзистор SI7880ADP-T1-E3

SI7880ADP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
70 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7880ADP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current40 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation83 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge125nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 83W

Документация

Документы пока не предоставлены.