VISHAY

Транзистор SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 40 A
Pulsed drain current: 70 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	SI7868ADP-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	40 A
Pulsed drain current	70 A
Power dissipation	83 W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±16 V
On-state resistance	2.75 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	150nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 40A; Idm: 70A; 83W

Документация

Документы пока не предоставлены.