Антава

VISHAY

Транзистор SI7862ADP-T1-GE3

SI7862ADP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
16 V
Drain current
29 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI7862ADP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage16 V
Drain current29 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation5.4 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance5.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge80nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 16V; 29A; Idm: 60A; 5.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.