Антава

VISHAY

Транзистор SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
7.6A
Pulsed drain current
50A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7852DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current7.6A
Pulsed drain current50A
Power dissipation1.2W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance16.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.