Антава

VISHAY

Транзистор SI7852ADP-T1-E3

SI7852ADP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI7852ADP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current30 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation40 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance17 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 30A; Idm: 60A; 40W

Документация

Документы пока не предоставлены.