Антава

VISHAY

Транзистор SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
6.2A
Pulsed drain current
40A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7850DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current6.2A
Pulsed drain current40A
Power dissipation0.9W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance22mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A

Документация

Документы пока не предоставлены.