Антава

VISHAY

Транзистор SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
24.5 A
Pulsed drain current
50 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7846DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current24.5 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation5.2 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 24.5A; Idm: 50A

Документация

Документы пока не предоставлены.