VISHAY

Транзистор SI7806ADN-T1-E3

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 14 A
Pulsed drain current: 40 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7806ADN-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	14 A
Pulsed drain current	40 A
Power dissipation	3.7 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	16 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	20nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14A; Idm: 40A; 3.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.