VISHAY

Транзистор SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7742DP-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	N-MOSFET + Schottky
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30V
Drain current	60A
Pulsed drain current	80A
Power dissipation	83W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	4.5mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	115nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A

Документация

Документы пока не предоставлены.