Антава

VISHAY

Транзистор SI7738DP-T1-E3

SI7738DP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150V
Drain current
26A
Pulsed drain current
60A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7738DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150V
Drain current26A
Pulsed drain current60A
Power dissipation62W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance38mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 60A; 62W

Документация

Документы пока не предоставлены.