Антава

VISHAY

Транзистор SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-40 A
Pulsed drain current
-100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 99 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%290,68 ₽

Сумма · с НДС 22%290,68 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1290,68 ₽
от 10184,35 ₽
от 100122,28 ₽
от 50096,21 ₽
от 100090,02 ₽
от 300085,71 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSI7655ADN-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-40 A
Pulsed drain current-100 A
Рассеиваемая мощность36 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance3.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge225nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A

Документация

Документы пока не предоставлены.