VISHAY

Транзистор SI7615DN-T1-GE3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -35 A
Power dissipation: 52 W
Корпус: PowerPAK® 1212-8

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7615DN-T1-GE3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-35 A
Power dissipation	52 W
Корпус	PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	3.1 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; 52W; PowerPAK® 1212-8

Документация

Документы пока не предоставлены.