Антава

VISHAY

Транзистор SI7478DP-T1-E3

SI7478DP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
15 A
Pulsed drain current
60 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7478DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current15 A
Pulsed drain current60 A
Power dissipation1.2 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge160nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 15A; Idm: 60A; 1.2W

Документация

Документы пока не предоставлены.