Антава

VISHAY

Транзистор SI7464DP-T1-GE3

SI7464DP-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
2.8 A
Pulsed drain current
8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSI7464DP-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current2.8 A
Pulsed drain current8 A
Power dissipation4.2 W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.8A; Idm: 8A

Документация

Документы пока не предоставлены.