Антава

VISHAY

Транзистор SI7464DP-T1-E3

SI7464DP-T1-E3
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
TrenchFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
2.8A
Pulsed drain current
8A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSI7464DP-T1-E3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current2.8A
Pulsed drain current8A
Power dissipation4.2W
КорпусPowerPAK® SO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.26Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.8A; Idm: 8A

Документация

Документы пока не предоставлены.