VISHAY

Транзистор SI7463DP-T1-E3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -60A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7463DP-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40V
Drain current	-11A
Pulsed drain current	-60A
Power dissipation	1.2W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	9.2mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.14µC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A

Документация

Документы пока не предоставлены.