VISHAY

Транзистор SI7461DP-T1-E3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Pulsed drain current: -60A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	SI7461DP-T1-E3
Производитель	VISHAY
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	TrenchFET®
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60V
Drain current	-8.6A
Pulsed drain current	-60A
Power dissipation	1.2W
Корпус	PowerPAK® SO8
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	14.5mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	0.19µC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A

Документация

Документ производителя